收藏本站
4
RF Device Data
Freescale Semiconductor
MRF6S21060NR1 MRF6S21060NBR1
Figure 2. MRF6S21060NR1(NBR1) Test Circuit Component Layout
MRF6S21060N Rev. 3
CUT OUT AREA
C10 C11
C9
C8
C4 C5
C3
C2
R3
R2
C1
C6
R1
C7
LIFETIME BU
Y
LAST ORDER 1 JUL 11 LAST SHIP 30 JUN 12
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。

采购需求

(若只采购一条型号，填写一行即可)

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

*型号 *数量 厂商 批号 封装
添加更多采购

我的联系方式

*
*
*
相关PDF资料
MRF6S21100HSR5 MOSFET RF N-CHAN 28V 23W NI-780S
MRF6S21100NR1 MOSFET RF N-CH 28V 23W TO270-4
MRF6S21140HSR5 MOSFET RF N-CHAN 28V 30W NI-880S
MRF6S21190HSR5 MOSFET RF N-CH 54W NI880S
MRF6S23100HSR5 MOSFET RF N-CHAN 28V 20W NI-780S
MRF6S23140HSR5 MOSFET RF N-CHAN 28W 28W NI-880S
MRF6S24140HS IC MOSFET RF N-CHAN NI-880S
MRF6S27015NR1 IC MOSFET RF N-CHAN TO270-2
相关代理商/技术参数
MRF6S21060NR1_08 制造商:FREESCALE 制造商全称:Freescale Semiconductor, Inc 功能描述:RF Power Field Effect Transistors N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs
MRF6S21100HR3 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV6 23W W-CDMA RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray
MRF6S21100HR5 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV6 23W W-CDMA RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray
MRF6S21100HS 制造商:FREESCALE-SEMI 功能描述:
MRF6S21100HSR3 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV6 23W W-CDMA RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray
MRF6S21100HSR5 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV6 23W W-CDMA RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray
MRF6S21100MBR1 功能描述:MOSFET RF N-CH 28V 23W TO272-4 RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> RF FET 系列:- 产品目录绘图:MOSFET SOT-23-3 Pkg 标准包装:3,000 系列:- 晶体管类型:N 通道 JFET 频率:- 增益:- 电压 - 测试:- 额定电流:30mA 噪音数据:- 电流 - 测试:- 功率 - 输出:- 电压 - 额定:25V 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商设备封装:SOT-23-3（TO-236） 包装:带卷 (TR) 产品目录页面:1558 (CN2011-ZH PDF) 其它名称:MMBFJ309LT1GOSMMBFJ309LT1GOS-NDMMBFJ309LT1GOSTR
MRF6S21100MR1 功能描述:MOSFET RF N-CH 28V 23W TO270-4 RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> RF FET 系列:- 产品目录绘图:MOSFET SOT-23-3 Pkg 标准包装:3,000 系列:- 晶体管类型:N 通道 JFET 频率:- 增益:- 电压 - 测试:- 额定电流:30mA 噪音数据:- 电流 - 测试:- 功率 - 输出:- 电压 - 额定:25V 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商设备封装:SOT-23-3（TO-236） 包装:带卷 (TR) 产品目录页面:1558 (CN2011-ZH PDF) 其它名称:MMBFJ309LT1GOSMMBFJ309LT1GOS-NDMMBFJ309LT1GOSTR
    • 我
    • 采购
    • 搜索
    • 会员